半導體激光器是一種相干輻射光源，要使它能產(chǎn)生激光，必須具備三個基本條件 :

　　1、增益條件：建立起激射媒質(zhì)(有源區(qū))內(nèi)載流子的反轉(zhuǎn)分布，在半導體中代表電子能量的是由一系列接近于連續(xù)的能級所組成的能帶 ，因此在半導體中要實現(xiàn)粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，必須在兩個能帶區(qū)域之間 ，處在高能態(tài)導帶底的電子數(shù)比處在低能態(tài)價帶頂?shù)目昭〝?shù)大很多，這靠給同質(zhì)結或異質(zhì)結加正向偏壓，向有源層內(nèi)注入必要的載流子來實現(xiàn)， 將電子從能量較低的價帶激發(fā)到能量較高的導帶中去 。當處于粒子數(shù)反轉(zhuǎn)狀態(tài)的大量電子與空穴復合時 ，便產(chǎn)生受激發(fā)射作用。

　　2、要實際獲得相干受激輻射 ，必須使受激輻射在光學諧振腔內(nèi)得到多次反饋而形成激光振蕩，激光器的諧振腔是由半導體晶體的自然解理面作為反射鏡形成的，通常在不出光的那一端鍍上高反多層介質(zhì)膜，而出光面鍍上減反膜。對F—p 腔(法布里—珀羅腔)半導體激光器可以很方便地利用晶體的與 p-n結平面相垂直的自然解理面構成F-p腔。

　　3、為了形成穩(wěn)定振蕩，激光媒質(zhì)必須能提供足夠大的增益，以彌補諧振腔引起的光損耗及從腔面的激光輸出等引起的損耗，不斷增加腔內(nèi)的光場。這就必須要有足夠強的電流注入，即有足夠的粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，粒子數(shù)反轉(zhuǎn)程度越高，得到的增益就越大，即要求必須滿足一定的電流閥值條件。當激光器達到閥值時，具有特定波長的光就能在腔內(nèi)諧振并被放大，最后形成激光而連續(xù)地輸出。可見在半導體激光器中，電子和空穴的偶極子躍遷是基本的光發(fā)射和光放大過程。對于新型半導體激光器而言，人們目前公認量子阱是半導體激光器發(fā)展的根本動力。量子線和量子點能否充分利用量子效應的課題已延至本世紀，科學家們已嘗試用自組織結構在各種材料中制作量子點，而GaInN 量子點已用于半導體激光器。

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